產(chǎn)品介紹：

玻璃基板具有高結構完整性、低電損耗、抗振動、耐溫性和環(huán)境耐久性等特點，在半導體封裝三維堆疊的芯片結構中，玻璃轉接板具有優(yōu)良的電絕緣性、低廉的制造成本以及良好的工藝兼容性，但是玻璃通孔TGV進行可靠地金屬填充具有很大的挑戰(zhàn)性。采用傳統(tǒng)濺射電鍍的孔金屬化方案，容易附著力不佳、填銅不飽滿等諸多問題。百柔新材采用自主開發(fā)的銅漿塞孔技術可以實現(xiàn)玻璃基的孔金屬化加工，工藝制程簡單、填塞飽滿、附著力好、成本極低。目前可以穩(wěn)定實現(xiàn)25~150um玻璃通孔TGV過孔金屬化，同時也與激光設備商的深度合作，利用激光誘導深度蝕刻的方法，實現(xiàn)高厚徑比的微小玻璃通孔制造。

產(chǎn)品介紹：

陶瓷穿孔互連技術 (TCV，Through r通徹：連 Via)簡稱TCV，是一種應用于高密度三維封裝的 l 新型互連技術。采用傳統(tǒng)沉銅電鍍的陶瓷基板孔金屬化方案，容易出現(xiàn)孔內(nèi)殘液、附著力不佳、填銅不飽滿等諸多工藝難點。采用銅漿塞孔的技術實現(xiàn)陶瓷基的孔金屬化，工藝制程簡單、填塞飽滿、附著力好、成本極低。

百柔采用微納米復合銅漿燒結而成，電阻率和可靠性俱佳。通過添加高溫粘結劑和特種填料，可以進一步調(diào)整孔銅和界面的熱膨脹系數(shù)，實現(xiàn)高可靠性的孔銅。

產(chǎn)品介紹：

隨著芯片中晶體管的數(shù)量的增加，硅通孔封裝（Through Silicon Via, TSV）的垂直堆疊在半導體器件領域突破了傳統(tǒng)二維集成的瓶頸。通過三維集成，硅通孔TSV技術近年來得到了廣泛應用 ，其中通孔填充是電阻率和電容的關鍵過程，但是硅通孔TSV的縱橫比很高，普通電鍍或濺射由于其物理和化學工藝極限，無法實現(xiàn)完全填充。而且通過濺射和電鍍的工藝，硅基板需要經(jīng)過生長SiO2層，需要通過磁控濺射在具有SiO2層的襯底上沉積由Ti和Cu組成的金屬種子層然后再進行電鍍，整個流程長，耗時耗電，設備投入大成本高。