產(chǎn)品介紹：
隨著芯片中晶體管的數(shù)量的增加，硅通孔封裝（Through Silicon Via, TSV）的垂直堆疊在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域突破了傳統(tǒng)二維集成的瓶頸。通過三維集成，硅通孔TSV技術(shù)近年來得到了廣泛應(yīng)用 ，其中通孔填充是電阻率和電容的關(guān)鍵過程，但是硅通孔TSV的縱橫比很高，普通電鍍或?yàn)R射由于其物理和化學(xué)工藝極限，無法實(shí)現(xiàn)完全填充。而且通過濺射和電鍍的工藝，硅基板需要經(jīng)過生長(zhǎng)SiO2層，需要通過磁控濺射在具有SiO2層的襯底上沉積由Ti和Cu組成的金屬種子層然后再進(jìn)行電鍍，整個(gè)流程長(zhǎng)，耗時(shí)耗電，設(shè)備投入大成本高。
百柔新材通過開發(fā)具有高導(dǎo)電率的塞孔銅漿通過刮刀壓力的方式將導(dǎo)電銅漿刮入硅通孔，從而實(shí)現(xiàn)高厚徑比的硅通孔TSV金屬化，可以加工25-150um硅通孔TSV過孔金屬化。為半導(dǎo)體封裝載板客戶提供硅通孔TSV過孔金屬化代工服務(wù)。也可以為客戶定制和提供塞孔銅漿，以實(shí)現(xiàn)硅通孔TSV金屬化飽滿填充。經(jīng)過銅漿塞孔后的TSV能夠使芯片在三維方向堆疊，通過垂直互連減小互聯(lián)長(zhǎng)度，減小信號(hào)延遲，降低芯片的電容和電感，實(shí)現(xiàn)芯片間的低功耗高速通訊，增加寬帶和實(shí)現(xiàn)器件集成的小型化，是公認(rèn)的第四代封裝互連技術(shù)。
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工藝流程：
工藝優(yōu)勢(shì)：
§ 設(shè)備投入少，減少了傳統(tǒng)濺射和電鍍大型設(shè)備和資金投入；
§ 工藝簡(jiǎn)單，通過模具和物理壓力的方式將銅漿等金屬漿料實(shí)現(xiàn)硅通孔TSV金屬化填滿；
§ 結(jié)合力好，硅通孔TSV金屬漿料中含有玻璃粉體，提高了金屬漿料與硅基材的結(jié)合力；
§ 可以實(shí)現(xiàn)高厚徑比的硅通孔TSV金屬化難題 ，最大塞孔厚徑比高達(dá)20:1；
§ 制程簡(jiǎn)單，僅僅印刷+燒結(jié)+研磨三個(gè)步驟即可實(shí)現(xiàn)。
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工藝可靠性：
§ 耐化學(xué)腐蝕，耐熱應(yīng)力，可焊性良好；
§ 后制程可靠性穩(wěn)定，可蝕刻、表面處理；
§ 低粗糙度：Ra＜0.5μm；
§ 高附著力：>3N/mm；
§ 300℃以下熱沖擊，附著力穩(wěn)定；
§ 1000個(gè)熱循環(huán)，附著力穩(wěn)定。
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加工能力：
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應(yīng)用場(chǎng)景：
硅通孔技術(shù)TSV是一項(xiàng)高密度封裝技術(shù)，正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術(shù)，被認(rèn)為是第四代封裝技術(shù)。硅通孔技術(shù)TSV可以通過垂直互連減小互聯(lián)長(zhǎng)度，減小信號(hào)延遲，降低電容/電感，實(shí)現(xiàn)芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實(shí)現(xiàn)器件集成的小型化。廣泛應(yīng)用于射頻、存儲(chǔ)、通訊等芯片的三維封裝領(lǐng)域。在硅通孔TGV的塞孔銅漿可以與封裝基板或PCB板等的金屬實(shí)現(xiàn)異質(zhì)互聯(lián)，從而實(shí)現(xiàn)多維封裝。
加工效果：
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